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直播已结束【ST 宽禁带高性能碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产品技术及不同应用案例分享】（9:30入场）
内容简介：本次直播着重于ST会连同安富利公司对宽禁带器件SiC和GaN产品及技术介绍、特别介绍了最新的MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势，同时也分享和探讨了相充电器/适配器等应用案例及技术细节。
直播讲师龙龙｜ST 工业及电源转换产品部技术市场经理潘虹｜ST 功率器件部市场经理张杰｜ST 工业及电源转换产品部技术市场经理
A：65W是符合USB PD标准的20V/3.25A最大输出3、GaN 的材料特性是？A：GaN的特性是宽带隙，高电子迁移率，从而使得其有更小的Qg和更小的寄生电容4、GaN开关频率最大可以做大多大？A：MasterGaN支持最大1MHz的开关频率，可以满足绝大多数应用
A：SiC MOSFET的Vgs门限电压比较低，因此对驱动电路的设计要求较高，如PCB layout、驱动电路设计等；特别是在高速开关的应用中，电流、电压的快速变化会引起尖峰。我们可以选择带有miller钳位的驱动IC来抑制这个尖峰，这样是可以不用负压的。6、请问SIC在高压高温下的特性如何？
A：SiC MOSFET的规格书中，我们可以到Rdson与温度的关系曲线，其Rdson随温度增加的程度远远低于Si MOS，因此又利于散热设计，可以减小散热器的体积。
A：SIC MOS的驱动电压要比Si MOS更高，从而获得更低的导通阻抗，另外由于SiC MOS的门限电压要比Si mos要低。另外，两者的Vgs耐压范围不同。
A：SiC MOS也可以用在大功率的逆变器和功率转换的应用上面。不仅在中小功率的充电器，在中功率比如3KW的服务器电源上SIC和GAN都有应用
A：SiC和GaN 用在功率转换的部分比较多，射频功率放大主要用砷化镓材料的半导体比较多。
A：SiC和GaN功率管更容易受到干扰，对驱动电路的设计要求更高。所以将驱动电路和功率管封装在一个芯片里面会更方便应用。
A：SiC和Si有各自的优点，在不同的应用中的需求不同，因此这两种产品还会共存。
A：SIC是一种材质，基于这个SiC的有二极管，也有MOSFET；不同的产品应用场合不同。
A：ST 创新中心有设计一些常见应用的电源和电机驱动的方案，其中也包含一些基于宽禁带半导体的参考方案。
A：ST有一个基于VIPerGaN的PD快充的完整参考方案，可以支持USB-C输出
A：ST168体育在各个功率段都有高性价比的产品及解决方案，可以在ST官网详细了解产品资料
A：VIPERGAN是控制器与氮化镓合封的产品，MASTERGAN是半桥的氮化镓功率器件，两款产品应用在不同的拓扑电路
A：安富利电子有代理这两类产品，目前和ST原厂创新中心联合推广GaN和MasterGaN产品方案，在SiC MOS方面也紧密和原厂一起配合将产品导入到客户的项目中。已经在重要的客户中批量出货。
A：安富利电子在国内可代理代理ST全线产品。本次研讨会中讨论到的产品也都有涉及，且是重要的合作伙伴。谢谢。
27、请问一下是否有应用于工业电源的案例，因为目前的GaN主要常见用于消费品
28、碳化硅和氮化镓的应用，能否像以往的那种半导体，更加广泛使用，而不是限于电源应用类？
A：氮化镓更加适合650V及以下的应用，碳化硅更加适合1000V以上的应用
A：氮化镓芯片化的设计，例如MasterGaN将驱动和功率管封装在一起，可以让应用工程师使用氮化镓功率管变得简单
A：负压驱动会导致氮化镓的反向导通压降剧增，对于LLC等需要反向导通的应用场合不利
33、目前GaN应用中开关频率远低于GaN支持的开关频率，是受什么限制，是高频磁性材料幺
A：高频磁性材料确实是一个限制因素。另外一个也是基于电源整体性能的考虑，追求极致的高开关频率能带来的是更小的体积，但是对整体的损耗，效率，散热会带来影响，所以目前的应用是一个对整体性能的考虑。
35、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产品优点有什么,在温升上有何优点,
A：功率管的最高工作频率跟其应用条件有关。目前氮化镓功率管有做到1MHZ开关频率的应用。
A：禁带是bandgap，主要是开关管中的电子跃迁层级。更宽的禁带可以让产品耐压更高，在导通以后通过的电流也可以更大，开关频率更快。
A：可以在ST 的官网上搜索3KWTLP，这是一款通信电源模块的参考设计，网站上有详细的文档以及介绍。
49、我想用氮化镓在小功率（几瓦）中压（一二百伏）领域，不知有没有推荐的。
50、宽禁带高性能碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产品和技术详细资料在哪里查阅？谢谢
A：控制器+SiC，集成GaN可以支持到约200W，控制器+SiC的方式可以达到更高的功率。
A：目前MASTERGAN系列最大可以到400W，后续还会推出更高功率的产品请关注ST官网，转换效率也会受到电动的不同应用的影响
A：耐压差不多，主要是不同的功率输出要求对开关频率和导通阻抗等要求不一样。
A：汽车电子中新能源车的主功率输出和OBC双向DCDC变换器都有相应应用。
65、SiC MOS也可以用在大功率的逆变器和功率转换的应用上面意思是可以用在无刷电机的功率驱动上吗？
A：是否需要散热器取决于具体的使用条件。我们MASTERGAN在参考实际中都是没有使用散热片的。在ST官网可以找到MASTERGAN设计的资料，其中包括了如何设计PCB来散热
67、碳化硅和氮化镓都是大电流和低损耗的，那么在实际应用中会有什么差别？
A：碳化硅和氮化镓他们的特性不同，有各自的优缺点，SiC MOS的耐压可以做的更高，目前已经有650V、1200V、1700V的产品，应用在汽车领域、新能源领域等；而氮化镓的耐压目前是650V，目前的主要应用在消费类，也有部分应用在工业领域。在实际应用中需要根据应用进行选择设计。
69、请教一下 ，UPS 方面，推荐的微处理器有哪些？比如 1KW 产品
A：微处理器选型主要看产品本身的应用需求，例如工作主频，存储和内存的大小，要求的外设种类和数量等等，一般在数字电源领域推荐使用STM32G4系列的产品。
A：需要根据您的不同应用电路设计合适的工作频率，高频率可以使得电源器件的小型化更好
A：要看产品本身的输入和输出功率要求。GaN产品优势是可以提高开关频率，减小产品体积，提高功率密度，最小体积跟产品功率相关。
A：一般而言是驱动电压比普通MOS高一些，具体可以查看产品的规格书说明.
A：因为功率密度更高，所以应该详细关注规格书中关于散热要求的和封装阻的说明。
81、意法半导体168体育的碳化硅（SiC），是否有车规级的产品？如有，是哪些型号？
82、请问一下，ST是否有结合碳化硅和氮化镓器件特性，结合不同应用场景的解决方案组件？供不同的客户选用？
A：有的。ST提供了基于氮化镓的中小功率45W,65W,150W,200W,350W的参考设计，以及3KW的SiC和GAN的参考方案，还有6.6KW充电桩的SIC方案。具体方案可以在ST的官方网站上找到。
83、碳化硅SiC MOSFET 模块在高功率控制输出设计时需要考虑哪些方面？
A：在同样硬开关的拓扑里，由于GaN的开关速度明显快于Si MOS，所以GaN将会有更小的开关损耗
86、单片机的输出信号，直接到Master GaN系列就可以完成驱动吗？
A：中小功率应用下用Si 的MOS即可，成本和效率已经可以满足。所以两者不是完全替代的。
A：主要看需要的输出功率。中小功率可以使用GaN，大功率可以用控制器+SiC
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用蓄电池给一个DCDC电路供电的话 ？ 我怎么确定这个蓄电池的功率够不够呢？
请问 51单片机中 IE寄存器中的EX0位和 TCON寄存器中的IE0位是不是重复
请问51单片机串行通讯方式一中，定时器1给串口模块提供的是什么样的时钟
为什么51单片机的串口通讯波特率计算时 分母 中有个2，一直考虑不明白为什么要除以2
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